Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi MGSF2N02ELT1G, VDSS 20 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 792-5675
Nº ref. fabric.:: MGSF2N02ELT1G
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi MGSF2N02ELT1G, VDSS 20 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
20 - 180	0,559 €	11,18 €
200 - 480	0,481 €	9,62 €
500 - 980	0,419 €	8,38 €
1000 - 1980	0,368 €	7,36 €
2000 +	0,336 €	6,72 €

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Código RS:: 792-5675
Nº ref. fabric.:: MGSF2N02ELT1G
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	2.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Serie	MGSF2
	Encapsulado	SOT-23
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	115mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.5V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	0.6nC
	Disipación de potencia máxima Pd	1.25W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	1.01mm
	Longitud	3.04mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 2.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Serie MGSF2
	Encapsulado SOT-23
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 115mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.5V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.6nC
	Disipación de potencia máxima Pd 1.25W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 1.01mm
	Longitud 3.04mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

MOSFET de potencia de canal N, 20 V, ON Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semiconductor

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