MOSFET, N-Canal onsemi MGSF2N02ELT1G, VDSS 20 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
792-5675
Nº ref. fabric.:
MGSF2N02ELT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

MGSF2

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

115mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1.25W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.6nC

Tensión directa Vf

1.5V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-8V, +8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.01mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.04mm

Anchura

1.4mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N, 20 V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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