- Código RS:
- 166-2708
- Nº ref. fabric.:
- FDT86244
- Fabricante:
- onsemi
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 07/08/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 4000)
0,325 €
(exc. IVA)
0,393 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
---|---|---|
4000 + | 0,325 € | 1.300,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 166-2708
- Nº ref. fabric.:
- FDT86244
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 2,8 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 150 V |
Serie | PowerTrench |
Tipo de Encapsulado | SOT-223 |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 237 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
Disipación de Potencia Máxima | 2,2 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Ancho | 6.7mm |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 4,9 nC a 10 V |
Longitud | 3.7mm |
Material del transistor | Si |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Altura | 1.7mm |
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