MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB100N10F7, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 792-5697
- Nº ref. fabric.:
- STB100N10F7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
15,48 €
(exc. IVA)
18,73 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 17 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,096 € | 15,48 € |
| 25 - 45 | 2,942 € | 14,71 € |
| 50 - 120 | 2,648 € | 13,24 € |
| 125 - 245 | 2,384 € | 11,92 € |
| 250 + | 2,26 € | 11,30 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 792-5697
- Nº ref. fabric.:
- STB100N10F7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 61nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Altura | 4.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 9.35 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie STripFET H7 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 61nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.4mm | ||
Altura 4.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 9.35 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-263 de 3 pines