MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 55 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
103-1567
Nº ref. fabric.:
STB80NF55L-06T4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-263

Serie

STripFET II

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

100nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-16, +16V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.6mm

Longitud

10.4mm

Anchura

9.35mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics


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Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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