MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB80N06S2L09ATMA2, VDSS 55 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
214-9026
Nº ref. fabric.:
IPB80N06S2L09ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-263

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La gama Infineon de productos OptiMOS está disponible en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación. Se trata de encapsulados robustos con una calidad y fiabilidad superiores.

El producto tiene certificación AEC Q101 para automoción

Prueba de avalancha al 100 %

Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

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