MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB80N06S2L09ATMA2, VDSS 55 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

23,63 €

(exc. IVA)

28,59 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde

Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
10 - 102,363 €23,63 €
20 - 402,245 €22,45 €
50 - 902,15 €21,50 €
100 - 2402,056 €20,56 €
250 +1,914 €19,14 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
214-9026
Nº ref. fabric.:
IPB80N06S2L09ATMA2
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La gama Infineon de productos OptiMOS está disponible en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación. Se trata de encapsulados robustos con una calidad y fiabilidad superiores.

El producto tiene certificación AEC Q101 para automoción

Prueba de avalancha al 100 %

Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Enlaces relacionados