MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 55 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

874,00 €

(exc. IVA)

1.058,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 18 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1000 +0,874 €874,00 €

*precio indicativo

Código RS:
920-8792
Nº ref. fabric.:
STB55NF06LT4
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

55A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-263

Serie

STripFET II

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

27nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

95W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.6mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

10.4 mm

Longitud

10.75mm

Estándar de automoción

No

STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics


Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


Enlaces relacionados