MOSFET, N-Canal onsemi NTR5198NLT1G, VDSS 60 V, ID 2.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 796-1381
- Nº ref. fabric.:
- NTR5198NLT1G
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 25 unidades)*
5,27 €
(exc. IVA)
6,38 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2675 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 6000 unidad(es) más para enviar a partir del 13 de octubre de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,211 € | 5,28 € |
| 100 - 225 | 0,182 € | 4,55 € |
| 250 - 475 | 0,158 € | 3,95 € |
| 500 - 975 | 0,139 € | 3,48 € |
| 1000 + | 0,126 € | 3,15 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 796-1381
- Nº ref. fabric.:
- NTR5198NLT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 155mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.1nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 900mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.01mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Anchura | 1.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 155mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.1nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 900mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.01mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Anchura 1.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines