MOSFET Nexperia PMN35EN,115, VDSS 30 V, ID 5,1 A, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple

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Código RS:
798-2766
Nº ref. fabric.:
PMN35EN,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5,1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

TSOP-6

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

31 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

4,17 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

3.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,2 nC a 10 V

Ancho

1.7mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

COO (País de Origen):
MY

MOSFET de canal N, hasta 30V



Transistores MOSFET, NXP Semiconductors

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