MOSFET Nexperia PSMN045-80YS,115, VDSS 80 V, ID 24 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 798-2889
- Nº ref. fabric.:
- PSMN045-80YS,115
- Fabricante:
- Nexperia
Producto Alternativo
Este producto actualmente no se encuentra disponible. Le sugerimos la siguiente alternativa.
unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
0,44 €
(exc. IVA)
0,53 €
(inc.IVA)
- Código RS:
- 798-2889
- Nº ref. fabric.:
- PSMN045-80YS,115
- Fabricante:
- Nexperia
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 24 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 80 V | |
| Tipo de Encapsulado | LFPAK, SOT-669 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 4 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 72 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 56 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Ancho | 4.1mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 12,5 nC a 10 V | |
| Longitud | 5mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Material del transistor | Si | |
| Altura | 1.1mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 24 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 80 V | ||
Tipo de Encapsulado LFPAK, SOT-669 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 4 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 72 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 4V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 2V | ||
Disipación de Potencia Máxima 56 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Ancho 4.1mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 12,5 nC a 10 V | ||
Longitud 5mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Material del transistor Si | ||
Altura 1.1mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||