MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFH30N50Q3, VDSS 500 V, ID 30 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 801-1386
- Número de artículo Distrelec:
- 302-53-319
- Nº ref. fabric.:
- IXFH30N50Q3
- Fabricante:
- IXYS
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- 801-1386
- Número de artículo Distrelec:
- 302-53-319
- Nº ref. fabric.:
- IXFH30N50Q3
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 200mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 690W | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 62nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 16.26mm | |
| Anchura | 5.3 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 16.26mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 200mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 690W | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 62nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 16.26mm | ||
Anchura 5.3 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 16.26mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3
Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.
Diodo rectificador rápido intrínseco
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Encapsulados estándar del sector
Baja inductancia de encapsulado
Alta densidad de potencia
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
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