MOSFET onsemi, Tipo P-Canal NDC7003P, VDSS 60 V, ID 340 mA, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 806-1236
Nº ref. fabric.:: NDC7003P
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi, Tipo P-Canal NDC7003P, VDSS 60 V, ID 340 mA, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*

1,10 €

(exc. IVA)

1,34 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €

Últimas existencias de RS

Última(s) 2460 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución

Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
20 +	0,055 €	1,10 €

*precio indicativo

Código RS:: 806-1236
Nº ref. fabric.:: NDC7003P
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	340mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	SOT-23
	Serie	PowerTrench
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	10Ω
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	1.6nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	960mW
	Tensión directa Vf	-0.8V
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	3mm
	Altura	1mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 340mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado SOT-23
	Serie PowerTrench
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10Ω
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.6nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 960mW
	Tensión directa Vf -0.8V
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 3mm
	Altura 1mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.

Los MOSFET PowerTrench®, emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de la generación anterior.

El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

MOSFET onsemi, Tipo P-Canal NDC7003P, VDSS 60 V, ID 340 mA, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €

MOSFET de canal P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas