MOSFET onsemi FDPF085N10A, VDSS 100 V, ID 40 A, TO-220F de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 806-3573
- Nº ref. fabric.:
- FDPF085N10A
- Fabricante:
- onsemi
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 13/12/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
2,09 €
(exc. IVA)
2,53 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
2 - 18 | 2,09 € | 4,18 € |
20 - 38 | 1,77 € | 3,54 € |
40 + | 1,675 € | 3,35 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 806-3573
- Nº ref. fabric.:
- FDPF085N10A
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal N PowerTrench®, de 20 A a 59,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 40 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
Serie | PowerTrench |
Tipo de Encapsulado | TO-220F |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 8,5 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
Disipación de Potencia Máxima | 33,3 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 9,7 nC a 10 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Ancho | 4.9mm |
Longitud | 10.36mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Material del transistor | Si |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Altura | 16.07mm |
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