MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI3477DV-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- Código RS:
- 812-3160
- Nº ref. fabric.:
- SI3477DV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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*precio indicativo
- Código RS:
- 812-3160
- Nº ref. fabric.:
- SI3477DV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 12V | |
| Encapsulado | TSOP | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 33mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 58nC | |
| Tensión directa Vf | -0.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 4.2W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 1.7 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V | ||
Encapsulado TSOP | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 58nC | ||
Tensión directa Vf -0.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 4.2W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 1.7 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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