Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI3477DV-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines

Código RS:: 812-3160
Nº ref. fabric.:: SI3477DV-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI3477DV-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines

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Código RS:: 812-3160
Nº ref. fabric.:: SI3477DV-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	12V
	Encapsulado	TSOP
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	33mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	4.2W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	58nC
	Tensión directa Vf	-0.8V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1mm
	Longitud	3.1mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V
	Encapsulado TSOP
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 4.2W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 58nC
	Tensión directa Vf -0.8V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1mm
	Longitud 3.1mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

MOSFET de canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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