MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal DMN2016UTS-13, VDSS 20 V, ID 8.6 A, TSSOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
822-2542
Nº ref. fabric.:
DMN2016UTS-13
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

TSSOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

16.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Tensión directa Vf

0.65V

Disipación de potencia máxima Pd

880mW

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Longitud

4.5mm

Certificaciones y estándares

J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101

Altura

1.025mm

Anchura

3.1 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.


Transistores MOSFET, Diodes Inc.


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