MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMN2065UW-7, VDSS 20 V, ID 3.1 A, Mejora, SC-70 de 3 pines
- Código RS:
- 823-2930
- Nº ref. fabric.:
- DMN2065UW-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Subtotal (1 paquete de 100 unidades)*
5,30 €
(exc. IVA)
6,40 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 29.600 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 100 + | 0,053 € | 5,30 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 823-2930
- Nº ref. fabric.:
- DMN2065UW-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | DMN | |
| Encapsulado | SC-70 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 140mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 700mW | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.35 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie DMN | ||
Encapsulado SC-70 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 140mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 700mW | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.35 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.2mm | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de canal N, 12 a 28 V, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SC-70 de 3 pines
