MOSFET, N-Canal Texas Instruments, VDSS 30 V, ID 3.1 A, Mejora, PICOSTAR de 3 pines

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Código RS:
823-9240
Nº ref. fabric.:
CSD17381F4T
Fabricante:
Texas Instruments
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Marca

Texas Instruments

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

FemtoFET

Encapsulado

PICOSTAR

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

250mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.73V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.04nC

Disipación de potencia máxima Pd

500mW

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

0.64mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

1.04mm

Altura

0.35mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N FemtoFET™, Texas Instruments


Transistores MOSFET, Texas Instruments


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