MOSFET Infineon IPB80N04S404ATMA1, VDSS 40 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 826-9480
Nº ref. fabric.:: IPB80N04S404ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB80N04S404ATMA1, VDSS 40 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)

1,07 €

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1,29 €

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Unidades	Por unidad	Por Pack*
25 +	1,07 €	26,75 €

*precio indicativo

Código RS:: 826-9480
Nº ref. fabric.:: IPB80N04S404ATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

Datos del Producto

MOSFET de potencia OptiMOS™ T2 de Infineon

La nueva gama OptiMOS ™ T2 de Infineon ofrece una gran variedad de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y arrancadores eléctricos. La nueva gama de productos OptiMOS™ T2 amplía las gamas existentes OptiMOS™ -T y OptiMOS™.

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Canal N - Modo de mejora
Calificación AEC
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	OptiMOS™ -T2
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	4,6 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	71 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	9.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	33 nC a 10 V
Longitud	10mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Material del transistor	Si
Altura	4.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C