MOSFET Infineon IPB80P04P4L04ATMA1, VDSS 40 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 857-4559
Nº ref. fabric.:: IPB80P04P4L04ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB80P04P4L04ATMA1, VDSS 40 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

999999999 Entrega en 24 horas

999999999 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)

1,144 €

(exc. IVA)

1,384 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1000 - 1000	1,144 €	1.144,00 €
2000 - 4000	1,115 €	1.115,00 €
5000 +	1,087 €	1.087,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 857-4559
Nº ref. fabric.:: IPB80P04P4L04ATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Serie	OptiMOS P
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	7,1 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	125 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +16 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	9.25mm
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	135 nC a 10 V
Longitud	10mm
Altura	4.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C