MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS3806TRLPBF, VDSS 60 V, ID 43 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 827-4101
- Nº ref. fabric.:
- IRFS3806TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
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| 50 - 90 | 0,805 € | 8,05 € |
| 100 - 240 | 0,77 € | 7,70 € |
| 250 - 490 | 0,737 € | 7,37 € |
| 500 + | 0,465 € | 4,65 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 827-4101
- Nº ref. fabric.:
- IRFS3806TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 43A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 71W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Anchura | 9.65 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 43A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 71W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Anchura 9.65 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 43 A, disipación de potencia máxima de 71 W - IRFS3806TRLPBF
Este MOSFET está diseñado para ofrecer un rendimiento óptimo en aplicaciones de alta eficiencia. Su configuración de modo de mejora es fundamental en la gestión de la energía, lo que impulsa un uso significativo en diversos sistemas electrónicos. Admite conmutación y amplificación de señales eficientes, esenciales para sectores como la automatización, la electrónica y las industrias eléctrica y mecánica.
Características y ventajas
• Alta capacidad de corriente de drenaje continua de hasta 43 A
• Funcionamiento eficiente con una tensión de drenaje-fuente máxima de 60 V
• La baja resistencia a la conexión reduce la pérdida de potencia
• Adecuado para aplicaciones de alta temperatura con un rango de hasta +175°C
• Diseño de montaje en superficie para ahorrar espacio
• Mayor resistencia a las tensiones dinámicas para un rendimiento constante
Aplicaciones
• Ideal para situaciones de conmutación de potencia a alta velocidad
• Utilizados en sistemas de alimentación ininterrumpida
• Aplicable a la rectificación síncrona en fuentes de alimentación conmutadas
• Adecuado para circuitos de alta frecuencia y de conmutación dura
¿Cuál es la tensión puerta-fuente máxima?
La tensión puerta-fuente máxima de este componente es de -20 V a +20 V, lo que permite flexibilidad en varios diseños de circuitos.
¿Cómo afecta la resistencia de conexión a la disipación de potencia?
La menor resistencia a la conexión minimiza la disipación de potencia durante el funcionamiento, lo que mejora la eficiencia y el rendimiento térmico.
¿Cuál es la tarifa de entrada habitual?
La carga de puerta típica a una tensión puerta-fuente de 10 V es de 22 nC, lo que permite transiciones de conmutación rápidas.
¿Es compatible con los diseños de placas de circuito impreso de montaje superficial?
Sí, el diseño de montaje en superficie es adecuado para los modernos diseños de placas de circuito impreso, lo que facilita la integración en dispositivos electrónicos compactos.
¿Qué factores deben tenerse en cuenta al utilizar el MOSFET en aplicaciones de alta temperatura?
Cuando funcione a altas temperaturas, asegúrese de que se aplica una gestión térmica adecuada para respetar el límite de temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C para garantizar la fiabilidad.