MOSFET Infineon IRFS3806TRLPBF, VDSS 60 V, ID 43 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 827-4101
Nº ref. fabric.:: IRFS3806TRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFS3806TRLPBF, VDSS 60 V, ID 43 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete**
10 - 40	1,028 €	10,28 €
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100 - 240	0,935 €	9,35 €
250 - 490	0,894 €	8,94 €
500 +	0,565 €	5,65 €

**precio indicativo

Código RS:: 827-4101
Nº ref. fabric.:: IRFS3806TRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 43 A, disipación de potencia máxima de 71 W - IRFS3806TRLPBF

Este MOSFET está diseñado para ofrecer un rendimiento óptimo en aplicaciones de alta eficiencia. Su configuración de modo de mejora es fundamental en la gestión de la energía, lo que impulsa un uso significativo en diversos sistemas electrónicos. Admite conmutación y amplificación de señales eficientes, esenciales para sectores como la automatización, la electrónica y las industrias eléctrica y mecánica.

Características y ventajas

• Alta capacidad de corriente de drenaje continua de hasta 43 A
• Funcionamiento eficiente con una tensión de drenaje-fuente máxima de 60 V
• La baja resistencia a la conexión reduce la pérdida de potencia
• Adecuado para aplicaciones de alta temperatura con un rango de hasta +175°C
• Diseño de montaje en superficie para ahorrar espacio
• Mayor resistencia a las tensiones dinámicas para un rendimiento constante

Aplicaciones

• Ideal para situaciones de conmutación de potencia a alta velocidad
• Utilizados en sistemas de alimentación ininterrumpida
• Aplicable a la rectificación síncrona en fuentes de alimentación conmutadas
• Adecuado para circuitos de alta frecuencia y de conmutación dura

¿Cuál es la tensión puerta-fuente máxima?

La tensión puerta-fuente máxima de este componente es de -20 V a +20 V, lo que permite flexibilidad en varios diseños de circuitos.

¿Cómo afecta la resistencia de conexión a la disipación de potencia?

La menor resistencia a la conexión minimiza la disipación de potencia durante el funcionamiento, lo que mejora la eficiencia y el rendimiento térmico.

¿Cuál es la tarifa de entrada habitual?

La carga de puerta típica a una tensión puerta-fuente de 10 V es de 22 nC, lo que permite transiciones de conmutación rápidas.

¿Es compatible con los diseños de placas de circuito impreso de montaje superficial?

Sí, el diseño de montaje en superficie es adecuado para los modernos diseños de placas de circuito impreso, lo que facilita la integración en dispositivos electrónicos compactos.

¿Qué factores deben tenerse en cuenta al utilizar el MOSFET en aplicaciones de alta temperatura?

Cuando funcione a altas temperaturas, asegúrese de que se aplica una gestión térmica adecuada para respetar el límite de temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C para garantizar la fiabilidad.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	43 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	15,8 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	71 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	22 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Material del transistor	Si
Ancho	9.65mm
Altura	4.83mm
Tensión de diodo directa	1.3V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C