MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS38N20DTRLP, VDSS 200 V, ID 43 A, TO-263
- Código RS:
- 257-9428
- Nº ref. fabric.:
- IRFS38N20DTRLP
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,845 € | 5,69 € |
| 20 - 48 | 2,56 € | 5,12 € |
| 50 - 98 | 2,395 € | 4,79 € |
| 100 - 198 | 2,22 € | 4,44 € |
| 200 + | 2,075 € | 4,15 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-9428
- Nº ref. fabric.:
- IRFS38N20DTRLP
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 43A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 54mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 320W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 60nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 43A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 54mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 320W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 60nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRFS de Infineon es un mosfet de infrarrojos de canal n simple de 200 V en un encapsulado D2 Pak.
Estructura de celda planar para SOA amplio
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Encapsulado de alta capacidad de transporte de corriente (hasta 195 A, dependiendo del tamaño de la matriz)
Capacidad de soldadura por ola