MOSFET, N-Canal Infineon IRFS38N20DTRLP, VDSS 200 V, ID 43 A, TO-263
- Código RS:
- 257-9428
- Nº ref. fabric.:
- IRFS38N20DTRLP
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 257-9428
- Nº ref. fabric.:
- IRFS38N20DTRLP
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 43A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 54mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 320W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 60nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 43A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 54mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 320W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 60nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRFS de Infineon es un mosfet de infrarrojos de canal n simple de 200 V en un encapsulado D2 Pak.
Estructura de celda planar para SOA amplio
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Encapsulado de alta capacidad de transporte de corriente (hasta 195 A, dependiendo del tamaño de la matriz)
Capacidad de soldadura por ola