MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS4227TRLPBF, VDSS 200 V, ID 62 A, TO-263
- Código RS:
- 257-9431
- Nº ref. fabric.:
- IRFS4227TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,555 € | 5,11 € |
| 20 - 48 | 2,28 € | 4,56 € |
| 50 - 98 | 2,12 € | 4,24 € |
| 100 - 198 | 1,97 € | 3,94 € |
| 200 + | 1,84 € | 3,68 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-9431
- Nº ref. fabric.:
- IRFS4227TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 62A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 26mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 330W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 70nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 62A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 26mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 330W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRFS de Infineon es un interruptor PDP mosfet de potencia HEXFET de canal n simple de 200 V en un encapsulado D2 Pak.
Tecnología de proceso avanzada
Parámetros clave optimizados para aplicaciones de mantenimiento PDP, recuperación de energía y interruptor de paso
Bajo valor nominal de impulso E para reducir la potencia
Soporte de disipación en PDP, recuperación de energía y aplicaciones de interruptor de paso
QG bajo para una respuesta rápida
Alta capacidad de corriente de pico repetitiva para
Funcionamiento fiable
Tiempos de subida y caída cortos para una conmutación rápida
Temperatura de unión de funcionamiento de 175 °C para mejorar la resistencia
Capacidad de avalancha repetitiva para mayor robustez y fiabilidad