MOSFET, N-Canal Infineon IRFS4620TRLPBF, VDSS 200 V, ID 24 A, Mejora, TO-263

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Código RS:
257-9436
Nº ref. fabric.:
IRFS4620TRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

24A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

77.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Disipación de potencia máxima Pd

144W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 200 V, corriente de drenaje continua máxima de 24 A - IRFS4620TRLPBF


Este MOSFET es un transistor de potencia de modo de mejora de canal N diseñado para tareas de conmutación de alta tensión y conversión de potencia. Se suministra en un encapsulado TO-263 adecuado para conjuntos de alimentación montados en placa y funciona en un rango de temperatura ampliado para entornos exigentes. El dispositivo incorpora un diodo de cuerpo intrínseco con una tensión directa especificada y cumple la directiva RoHS.

Características y ventajas:


• La clasificación de 200 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente continua de 24 A admite una manipulación de carga sustancial
• La RDS(on) de 77.5 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La disipación de potencia de 144 W permite una carga térmica elevada
• La carga de puerta típica de 25 nC proporciona requisitos de accionamiento predecibles

Aplicaciones


• Apto para etapas de convertidor dc-dc de alta tensión
• Ideal para interruptores de salida de fuente de alimentación de modo conmutado
• Se utiliza con controladores de accionamiento de motor en conjuntos de alimentación
• Puede utilizarse para conmutar cargas en electrónica industrial
• Adecuado para la gestión de potencia en sistemas no automotrices

¿Qué consideraciones sobre el accionamiento de puerta debo planificar?


Espera una carga de puerta total típica de 25 nC en VGS

elija un controlador que pueda generar y absorber una corriente suficiente para lograr la velocidad de conmutación deseada.

¿Cómo afecta la capacidad térmica al diseño de PCB?


Con una disipación de potencia máxima de 144 W, asegúrese de que el área de cobre o el disipador térmico y las vías térmicas sean adecuados para gestionar la transferencia de calor de la unión al entorno.

¿Cuáles son los límites para las tensiones de control y señal?


La puerta se puede accionar hasta 20 V en relación con la fuente

las excursiones de fuente-puerta no deben exceder este valor.

¿Qué intervalo de temperatura puede tolerar en funcionamiento?


El dispositivo está especificado para funcionar de -55 °C hasta 175 °C para aplicaciones de gran temperatura.

¿Qué características de diodo son importantes para la conducción inversa?


El diodo intrínseco presenta una tensión directa de 1,3 V que influye en las pérdidas de conducción durante eventos de corriente inversa.

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