MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS4620TRLPBF, VDSS 200 V, ID 24 A, TO-263
- Código RS:
- 257-9436
- Nº ref. fabric.:
- IRFS4620TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 + | 1,956 € | 9,78 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-9436
- Nº ref. fabric.:
- IRFS4620TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 77.5mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 144W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 77.5mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 144W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRFS de Infineon es el mosfet de potencia HEXFET de canal n simple de 200 V en un encapsulado D2 Pak.
Resistencia dV/dt dinámica, avalancha y puerta mejorada
SOA de avalancha y capacitancia completamente caracterizado
Diodo de cuerpo mejorado con capacidad dV/dt y dI/dt sin plomo