MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TK100A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 827-6097
- Nº ref. fabric.:
- TK100A06N1,S4X(S
- Fabricante:
- Toshiba
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 4 unidades)*
12,10 €
(exc. IVA)
14,64 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 28 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | 3,025 € | 12,10 € |
| 20 - 76 | 2,525 € | 10,10 € |
| 80 - 196 | 2,208 € | 8,83 € |
| 200 - 396 | 2,098 € | 8,39 € |
| 400 + | 2,045 € | 8,18 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 827-6097
- Nº ref. fabric.:
- TK100A06N1,S4X(S
- Fabricante:
- Toshiba
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | TK | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 45W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 140nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10mm | |
| Altura | 15mm | |
| Anchura | 4.5 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie TK | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 45W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 140nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10mm | ||
Altura 15mm | ||
Anchura 4.5 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Transistores MOSFET, Toshiba
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFETS4X(S ID 60 A TO-220 de 3 pines
- MOSFETS4X(S ID 30 A TO-220 de 3 pines
- MOSFETS4X(S ID 58 A TO-220 de 3 pines
- MOSFETS4X(S ID 72 A TO-220 de 3 pines
- MOSFETS4X(S ID 46 A TO-220 de 3 pines
- MOSFETS4X(S ID 10 A TO-220 de 3 pines
- MOSFETS4X(S ID 56 A TO-220 de 3 pines