MOSFET Toshiba TK100A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 100 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 827-6097
- Nº ref. fabric.:
- TK100A06N1,S4X(S
- Fabricante:
- Toshiba
148 Disponible para entrega en 24/48 horas
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 4)
2,505 €
(exc. IVA)
3,031 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 4 - 16 | 2,505 € | 10,02 € |
| 20 - 76 | 2,093 € | 8,372 € |
| 80 - 196 | 1,83 € | 7,32 € |
| 200 - 396 | 1,738 € | 6,952 € |
| 400 + | 1,693 € | 6,772 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 827-6097
- Nº ref. fabric.:
- TK100A06N1,S4X(S
- Fabricante:
- Toshiba
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
Transistores MOSFET, Toshiba
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 100 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220SIS |
| Serie | TK |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 2,2 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Disipación de Potencia Máxima | 45 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Ancho | 4.5mm |
| Material del transistor | Si |
| Longitud | 10mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 140 nC a 10 V |
| Altura | 15mm |
- Código RS:
- 827-6097
- Nº ref. fabric.:
- TK100A06N1,S4X(S
- Fabricante:
- Toshiba
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