MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 120 V, ID 60 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
827-6191
Nº ref. fabric.:
TK32E12N1,S1X(S
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

120V

Encapsulado

TO-220

Serie

TK

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

98W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.16mm

Altura

15.1mm

Anchura

4.45 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, serie TK3x, Toshiba


Transistores MOSFET, Toshiba


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