MOSFET Toshiba TK40E10N1,S1X(S, VDSS 100 V, ID 90 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 827-6220
- Nº ref. fabric.:
- TK40E10N1,S1X(S
- Fabricante:
- Toshiba
370 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
1,332 €
(exc. IVA)
1,612 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 5 + | 1,332 € | 6,66 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 827-6220
- Nº ref. fabric.:
- TK40E10N1,S1X(S
- Fabricante:
- Toshiba
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
Transistores MOSFET, Toshiba
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 90 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
| Serie | TK |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 8,2 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Disipación de Potencia Máxima | 126 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Material del transistor | Si |
| Ancho | 4.45mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 49 nC a 10 V |
| Longitud | 10.16mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Altura | 15.1mm |
- Código RS:
- 827-6220
- Nº ref. fabric.:
- TK40E10N1,S1X(S
- Fabricante:
- Toshiba
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