MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics STR2P3LLH6, VDSS 30 V, ID 2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 876-5702
- Nº ref. fabric.:
- STR2P3LLH6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
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- Código RS:
- 876-5702
- Nº ref. fabric.:
- STR2P3LLH6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | STripFET | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 90mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 350mW | |
| Tensión directa Vf | -1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie STripFET | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 90mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 350mW | ||
Tensión directa Vf -1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.04mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
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