MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STR2N2VH5, VDSS 20 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
791-7876
Nº ref. fabric.:
STR2N2VH5
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

STripFET V

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

350mW

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.3mm

Anchura

1.75 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.04mm

Estándar de automoción

No

STripFET™ V de canal N, STMicroelectronics


Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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