MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 50 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

913,00 €

(exc. IVA)

1.105,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Últimas existencias de RS
  • Última(s) 5000 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1000 +0,913 €913,00 €

*precio indicativo

Código RS:
911-0834
Nº ref. fabric.:
IPB200N15N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

OptiMOS 3

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

9.45 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.57mm

Longitud

10.31mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Enlaces relacionados