MOSFET Infineon, N-Canal IRFP3703PBF, VDSS 30 V, ID 210 A, TO-247AC, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

Código RS:: 913-3840
Nº ref. fabric.:: IRFP3703PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon, N-Canal IRFP3703PBF, VDSS 30 V, ID 210 A, TO-247AC, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

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Código RS:: 913-3840
Nº ref. fabric.:: IRFP3703PBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)	30 V
	Corriente continua máxima de drenaje (ld)	210 A
	Encapsulado	TO-247AC
	Modo de canal	Mejora
	Número de pines	3
	Número de elementos por chip	1
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión directa (Vf)	1.3 V
	Altura	20.3 mm
	Longitud	15.9 mm
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-20 V, +20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175 °C
	Disipación de potencia máxima (Pd)	3.8 W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Serie	HEXFET
	Anchura	5.3 mm

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 30 V
	Corriente continua máxima de drenaje (ld) 210 A
	Encapsulado TO-247AC
	Modo de canal Mejora
	Número de pines 3
	Número de elementos por chip 1
	Configuración de transistor Simple
	Tensión directa (Vf) 1.3 V
	Altura 20.3 mm
	Longitud 15.9 mm
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -20 V, +20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175 °C
	Disipación de potencia máxima (Pd) 3.8 W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Serie HEXFET
	Anchura 5.3 mm

COO (País de Origen):: MX

Infineon HEXFET Series MOSFET, 210A Maximum Continuous Drain Current, 3.8W Maximum Power Dissipation - IRFP3703PBF

This high current MOSFET is essential for applications that require efficient power management. Its HEXFET technology ensures it meets performance criteria across various industrial and electronic uses. As an N-channel device, it provides substantial current handling and effective voltage control in robust and efficient semiconductor systems.

Features & Benefits

• Handles up to 210A continuous drain current

• Low on-resistance of 2.8mΩ minimises power losses

• Optimised for high-speed operations with quick turn-on and turn-off

• Single transistor configuration simplifies circuit design

Applications

• Used in power management systems for efficient switching

• Applied in synchronous rectification to enhance energy conversion

• Integrated in industrial automation equipment for dependable operation

• Utilised in power supplies requiring high efficiency and minimal heat generation

• Suitable for automotive needing durable components

What type of applications is this device best suited for?

This device excels in power management, particularly in synchronous rectification and industrial automation, owing to its high current handling and voltage capabilities.

How does the high continuous drain current affect performance?

The ability to manage 210A continuously allows for efficient energy transfer while reducing heat generation, thereby improving overall performance and reliability.

What are the implications of the low on-resistance?

A low on-resistance of 2.8mΩ greatly diminishes power losses during operation, enhancing efficiency and aiding in thermal management under high-load conditions.

What operating temperature range can this device handle?

It functions effectively over a wide temperature span from -55°C to +175°C, making it suitable for various demanding environments.

How does the MOSFET’s configuration improve circuit design?

The single transistor configuration streamlines circuit layouts, reducing the number of required components while ensuring dependable operation in high-speed applications.