MOSFET Infineon IRLML0030TRPBF, VDSS 30 V, ID 5,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 913-4042
Nº ref. fabric.:: IRLML0030TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRLML0030TRPBF, VDSS 30 V, ID 5,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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**precio indicativo

Código RS:: 913-4042
Nº ref. fabric.:: IRLML0030TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 5,3A, disipación de potencia máxima de 1,3W - IRLML0030TRPBF

Este MOSFET está diseñado para proporcionar una conmutación eficaz en circuitos electrónicos de diversas aplicaciones industriales. Su configuración FET de modo de mejora garantiza un rendimiento óptimo para tareas de conmutación de cargas o sistemas. Como componente clave en los sectores de la automatización y la electrónica, ofrece versatilidad y gran fiabilidad, lo que lo convierte en una selección fundamental para los ingenieros.

Características y ventajas

• la corriente de drenaje continua de 5,3 A amplía la capacidad operativa
• la tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V admite aplicaciones rigurosas
• La baja Rds(on) de 27 mΩ minimiza las pérdidas de energía durante el funcionamiento
• Compatible con la tecnología de montaje en superficie para una integración sencilla
• La temperatura nominal de +150 °C mantiene el rendimiento en entornos difíciles
• Cumple la directiva RoHS, lo que favorece un diseño y una fabricación respetuosos con el medio ambiente

Aplicaciones

• Utilizado en la interconexión de microcontroladores para la gestión de la carga
• Adecuado para electrónica de automoción para control de interruptores
• Se emplea en circuitos de alimentación para un manejo eficiente de la corriente
• Ideal para electrónica de consumo que requiere soluciones de alimentación compactas
• Aplicado en sistemas de automatización para operaciones de control coherentes

¿Cómo afecta la tensión umbral de puerta al comportamiento de conmutación?

La tensión de umbral de puerta especifica la tensión mínima entre puerta y fuente necesaria para activar el dispositivo, lo que influye en su velocidad de conmutación y eficiencia operativa.

¿Qué consideraciones deben tenerse en cuenta durante la instalación en relación con la gestión térmica?

Debe garantizarse una disipación térmica adecuada, ya que la temperatura máxima de funcionamiento es de +150 °C, crucial para mantener el rendimiento y la seguridad.

¿Puede integrarse en circuitos existentes diseñados para otras tecnologías?

Sí, cuenta con una distribución de patillas estándar en la industria, lo que garantiza la compatibilidad con diversas técnicas de montaje en superficie existentes.

¿Qué implicaciones tiene la tensión nominal máxima de la fuente de puerta?

Debe respetarse la tensión nominal de ±20 V para evitar daños en la puerta y garantizar un funcionamiento estable dentro de los límites especificados.

¿Cómo se compara este componente con otros dispositivos de conmutación?

Presenta unas características Rds(on) bajas que reducen las pérdidas por conmutación, lo que proporciona ventajas sobre los tipos alternativos en términos de eficiencia y gestión térmica.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	5,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	27 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.3V
Disipación de Potencia Máxima	1,3 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	1.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	2,6 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Longitud	3.04mm
Altura	1.02mm
Tensión de diodo directa	1V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C