MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 5.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 913-4042
- Nº ref. fabric.:
- IRLML0030TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Consigue un descuento por cantidad
Añade 6000 más para ahorrar un 3%
Ver precios por cantidadSubtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
366,00 €
(exc. IVA)
444,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 9000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* | Ahorro |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,122 € | 366,00 € | - |
| 6000 - 6000 | 0,118 € | 354,00 € | 3% |
| 9000 + | 0,116 € | 348,00 € | 4% |
*precio indicativo
- Código RS:
- 913-4042
- Nº ref. fabric.:
- IRLML0030TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 27mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.3W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.4mm | |
| Altura | 1.02mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 27mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.3W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.4mm | ||
Altura 1.02mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- PH
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 5,3A, disipación de potencia máxima de 1,3W - IRLML0030TRPBF
Este MOSFET está diseñado para proporcionar una conmutación eficaz en circuitos electrónicos de diversas aplicaciones industriales. Su configuración FET de modo de mejora garantiza un rendimiento óptimo para tareas de conmutación de cargas o sistemas. Como componente clave en los sectores de la automatización y la electrónica, ofrece versatilidad y gran fiabilidad, lo que lo convierte en una selección fundamental para los ingenieros.
Características y ventajas
• la corriente de drenaje continua de 5,3 A amplía la capacidad operativa
• la tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V admite aplicaciones rigurosas
• La baja Rds(on) de 27 mΩ minimiza las pérdidas de energía durante el funcionamiento
• Compatible con la tecnología de montaje en superficie para una integración sencilla
• La temperatura nominal de +150 °C mantiene el rendimiento en entornos difíciles
• Cumple la directiva RoHS, lo que favorece un diseño y una fabricación respetuosos con el medio ambiente
Aplicaciones
• Utilizado en la interconexión de microcontroladores para la gestión de la carga
• Adecuado para electrónica de automoción para control de interruptores
• Se emplea en circuitos de alimentación para un manejo eficiente de la corriente
• Ideal para electrónica de consumo que requiere soluciones de alimentación compactas
• Aplicado en sistemas de automatización para operaciones de control coherentes
¿Cómo afecta la tensión umbral de puerta al comportamiento de conmutación?
La tensión de umbral de puerta especifica la tensión mínima entre puerta y fuente necesaria para activar el dispositivo, lo que influye en su velocidad de conmutación y eficiencia operativa.
¿Qué consideraciones deben tenerse en cuenta durante la instalación en relación con la gestión térmica?
Debe garantizarse una disipación térmica adecuada, ya que la temperatura máxima de funcionamiento es de +150 °C, crucial para mantener el rendimiento y la seguridad.
¿Puede integrarse en circuitos existentes diseñados para otras tecnologías?
Sí, cuenta con una distribución de patillas estándar en la industria, lo que garantiza la compatibilidad con diversas técnicas de montaje en superficie existentes.
¿Qué implicaciones tiene la tensión nominal máxima de la fuente de puerta?
Debe respetarse la tensión nominal de ±20 V para evitar daños en la puerta y garantizar un funcionamiento estable dentro de los límites especificados.
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS -20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS -20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines