MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLML0030TRPBF, VDSS 30 V, ID 5.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 725-9344
Número de artículo Distrelec:: 304-45-309
Nº ref. fabric.:: IRLML0030TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLML0030TRPBF, VDSS 30 V, ID 5.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:: 725-9344
Número de artículo Distrelec:: 304-45-309
Nº ref. fabric.:: IRLML0030TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	5.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	SOT-23
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	27mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	2.6nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	1.3W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	1.4 mm
	Longitud	3.04mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.02mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 5.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie HEXFET
	Encapsulado SOT-23
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 27mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.6nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 1.3W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 1.4 mm
	Longitud 3.04mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.02mm
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 5,3A, disipación de potencia máxima de 1,3W - IRLML0030TRPBF

Este MOSFET está diseñado para proporcionar una conmutación eficaz en circuitos electrónicos de diversas aplicaciones industriales. Su configuración FET de modo de mejora garantiza un rendimiento óptimo para tareas de conmutación de cargas o sistemas. Como componente clave en los sectores de la automatización y la electrónica, ofrece versatilidad y gran fiabilidad, lo que lo convierte en una selección fundamental para los ingenieros.

Características y ventajas

• la corriente de drenaje continua de 5,3 A amplía la capacidad operativa

• la tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V admite aplicaciones rigurosas

• La baja Rds(on) de 27 mΩ minimiza las pérdidas de energía durante el funcionamiento

• Compatible con la tecnología de montaje en superficie para una integración sencilla

• La temperatura nominal de +150 °C mantiene el rendimiento en entornos difíciles

• Cumple la directiva RoHS, lo que favorece un diseño y una fabricación respetuosos con el medio ambiente

Aplicaciones

• Utilizado en la interconexión de microcontroladores para la gestión de la carga

• Adecuado para electrónica de automoción para control de interruptores

• Se emplea en circuitos de alimentación para un manejo eficiente de la corriente

• Ideal para electrónica de consumo que requiere soluciones de alimentación compactas

• Aplicado en sistemas de automatización para operaciones de control coherentes

¿Cómo afecta la tensión umbral de puerta al comportamiento de conmutación?

La tensión de umbral de puerta especifica la tensión mínima entre puerta y fuente necesaria para activar el dispositivo, lo que influye en su velocidad de conmutación y eficiencia operativa.

¿Qué consideraciones deben tenerse en cuenta durante la instalación en relación con la gestión térmica?

Debe garantizarse una disipación térmica adecuada, ya que la temperatura máxima de funcionamiento es de +150 °C, crucial para mantener el rendimiento y la seguridad.

¿Puede integrarse en circuitos existentes diseñados para otras tecnologías?

Sí, cuenta con una distribución de patillas estándar en la industria, lo que garantiza la compatibilidad con diversas técnicas de montaje en superficie existentes.

¿Qué implicaciones tiene la tensión nominal máxima de la fuente de puerta?

Debe respetarse la tensión nominal de ±20 V para evitar daños en la puerta y garantizar un funcionamiento estable dentro de los límites especificados.

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.