MOSFET Infineon IRFP9140NPBF, VDSS 100 V, ID 23 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 919-5028
Nº ref. fabric.:: IRFP9140NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFP9140NPBF, VDSS 100 V, ID 23 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

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Unidad(es)	Por unidad	Por Tubo**
25 - 25	1,52 €	38,00 €
50 - 100	1,444 €	36,10 €
125 - 225	1,383 €	34,575 €
250 - 600	1,322 €	33,05 €
625 +	1,23 €	30,75 €

**precio indicativo

Código RS:: 919-5028
Nº ref. fabric.:: IRFP9140NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET de potencia de canal P, de 100V a 150V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 23 A, disipación de potencia máxima de 140 W - IRFP9140NPBF

Este MOSFET de alta potencia está diseñado para ofrecer un rendimiento de conmutación eficiente en diversas aplicaciones. Es ideal para la electrónica de potencia, ya que combina una alta capacidad de corriente de drenaje continua con una baja resistencia, lo que facilita un control fiable y preciso en sistemas eléctricos y de automatización en múltiples entornos operativos.

Características y ventajas

• La configuración P-Channel permite diseños de circuitos flexibles
• Corriente de drenaje continua máxima de 23 A
• la tensión de drenaje de 100 V aumenta la seguridad
• El bajo RDS(on) de 117mΩ reduce la pérdida de potencia
• Adecuado para aplicaciones en modo de mejora que garantizan un rendimiento estable

Aplicaciones

• Utilizado en el control motor para mejorar la eficacia
• Ideal para sistemas de gestión de la energía que requieren alta fiabilidad
• Común en los circuitos de alimentación para un funcionamiento robusto
• Utilizados en reguladores de conmutación para una conversión de potencia eficaz
• Adecuado para sistemas de automatización industrial que requieren una conmutación fiable

¿Cuál es la tensión umbral de puerta máxima del dispositivo?

Tiene una tensión umbral de puerta máxima de 4 V, adecuada para diversos diseños de circuitos.

¿Cómo afecta el valor RDS(on) al rendimiento?

El bajo valor RDS(on) de 117mΩ minimiza las pérdidas de energía, mejorando la eficiencia y la gestión térmica en las aplicaciones.

¿Qué tipos de circuitos pueden beneficiarse de este MOSFET?

Es apropiado tanto para circuitos lineales como de conmutación, lo que lo hace versátil para aplicaciones electrónicas variadas.

¿Cuál es la carga de puerta típica necesaria para el funcionamiento?

El MOSFET requiere una carga de puerta típica de 97nC a una tensión puerta-fuente de 10V para un rendimiento óptimo.

¿Qué implicaciones tiene la temperatura máxima de funcionamiento?

Con una temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C, este dispositivo es adecuado para entornos de altas temperaturas, lo que mejora su fiabilidad en condiciones difíciles.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	TO-247AC
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	117 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	140 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	97 nC a 10 V
Ancho	5.3mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Material del transistor	Si
Longitud	15.9mm
Número de Elementos por Chip	1
Altura	20.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C