MOSFET DiodesZetex DMN10H099SK3-13, VDSS 100 V, ID 17 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 921-1044
Nº ref. fabric.:: DMN10H099SK3-13
Fabricante:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex DMN10H099SK3-13, VDSS 100 V, ID 17 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)

0,507 €

(exc. IVA)

0,613 €

(inc.IVA)

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 12/03/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Unidades	Por unidad	Por Pack*
20 - 80	0,507 €	10,14 €
100 - 480	0,482 €	9,64 €
500 - 980	0,431 €	8,62 €
1000 - 2480	0,406 €	8,12 €
2500 +	0,381 €	7,62 €

*precio indicativo

Código RS:: 921-1044
Nº ref. fabric.:: DMN10H099SK3-13
Fabricante:: DiodesZetex

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N, 100 V a 950 V, Diodes Inc.

Transistores MOSFET, Diodes Inc.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	99 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.5V
Disipación de Potencia Máxima	34 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	6.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	25,2 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	6.2mm
Tensión de diodo directa	0.77V
Altura	2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C