MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 60 V, ID 5.3 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 922-8014
- Nº ref. fabric.:
- ZXMN6A08GTA
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 922-8014
- Nº ref. fabric.:
- ZXMN6A08GTA
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | ZXMN6A08G | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 150mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.9W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.7 mm | |
| Altura | 1.8mm | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie ZXMN6A08G | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 150mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.9W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.7 mm | ||
Altura 1.8mm | ||
Longitud 6.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
- COO (País de Origen):
- DE
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
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