NVRAM Infineon, 44 pines, TSOP, 4 MB, 45 ns, Superficie, 3.6 V, 2.7 V

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Código RS:
194-9071
Nº ref. fabric.:
CY14B104LA-ZS25XI
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

NVRAM

Tamaño de la memoria

4MB

Organización

512 k x 8 Bit

Tipo de interfaz

Paralelo

Ancho del bus de datos

8bit

Tiempo de acceso aleatorio máximo

45ns

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

TSOP

Número de pines

44

Longitud

18.51mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

10.26 mm

Altura

1.04mm

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Tensión de alimentación máxima

3.6V

Tensión de alimentación mínima

2.7V

Número de bits por palabra

8

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Estándar de automoción

No

Número de palabras

512K

Corriente de suministro

70mA

El Cypress CY14B104LA/CY14B104NA es una RAM estática (SRAM) rápida con un elemento no volátil en cada celda de memoria. La memoria está organizada como 512K bytes de 8 bits cada uno o 256K canales de 16 bits cada uno. Los elementos no volátiles integrados incorporan la tecnología QuantumTrap, lo que produce una memoria no volátil fiable. La SRAM proporciona un número infinito de ciclos de lectura y escritura, mientras que los datos no volátiles independientes residen en la celda QuantumTrap de alta fiabilidad. Las transferencias de datos desde la SRAM a los elementos no volátiles (funcionamiento DE ALMACENAMIENTO) se realizan automáticamente al apagar el dispositivo. Al encender, los datos se restauran en la SRAM (la operación DE RECUPERACIÓN) desde la memoria no volátil. Las operaciones DE ALMACENAMIENTO y RECUPERACIÓN también están disponibles bajo control de software.

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