NVRAM Infineon, 44 pines, TSOP, 4 MB, 45 ns, Superficie, 3.6 V, 2.7 V

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
194-9072P
Nº ref. fabric.:
CY14B104LA-ZS25XI
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tamaño de la memoria

4MB

Tipo de producto

NVRAM

Organización

512 k x 8 Bit

Tipo de interfaz

Paralelo

Ancho del bus de datos

8bit

Tiempo de acceso aleatorio máximo

45ns

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

TSOP

Número de pines

44

Altura

1.04mm

Anchura

10.26 mm

Longitud

18.51mm

Certificaciones y estándares

No

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Número de bits por palabra

8

Corriente de suministro

70mA

Estándar de automoción

No

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de alimentación máxima

3.6V

Tensión de alimentación mínima

2.7V

Número de palabras

512K

El Cypress CY14B104LA/CY14B104NA es una RAM estática (SRAM) rápida con un elemento no volátil en cada celda de memoria. La memoria está organizada como 512K bytes de 8 bits cada uno o 256K canales de 16 bits cada uno. Los elementos no volátiles integrados incorporan la tecnología QuantumTrap, lo que produce una memoria no volátil fiable. La SRAM proporciona un número infinito de ciclos de lectura y escritura, mientras que los datos no volátiles independientes residen en la celda QuantumTrap de alta fiabilidad. Las transferencias de datos desde la SRAM a los elementos no volátiles (funcionamiento DE ALMACENAMIENTO) se realizan automáticamente al apagar el dispositivo. Al encender, los datos se restauran en la SRAM (la operación DE RECUPERACIÓN) desde la memoria no volátil. Las operaciones DE ALMACENAMIENTO y RECUPERACIÓN también están disponibles bajo control de software.

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