NVRAM Cypress Semiconductor CY14B104LA-ZS25XI, 44 pines, TSOP, 4Mbit, 45ns, Montaje superficial, 2,7 V a 3,6 V
- Código RS:
- 194-9072P
- Nº ref. fabric.:
- CY14B104LA-ZS25XI
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
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- Código RS:
- 194-9072P
- Nº ref. fabric.:
- CY14B104LA-ZS25XI
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la Memoria | 4Mbit | |
| Organización | 512K x 8 bits | |
| Tipo de Interfaz | Paralelo | |
| Ancho del Bus de Datos | 8bit | |
| Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 45ns | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Encapsulado | TSOP | |
| Conteo de Pines | 44 | |
| Dimensiones | 18.51 x 10.26 x 1.04mm | |
| Longitud | 18.51mm | |
| Ancho | 10.26mm | |
| Altura | 1.04mm | |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 3,6 V | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C | |
| Número de Bits de Palabra | 8bit | |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 2,7 V | |
| Número de Palabras | 512K | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la Memoria 4Mbit | ||
Organización 512K x 8 bits | ||
Tipo de Interfaz Paralelo | ||
Ancho del Bus de Datos 8bit | ||
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo 45ns | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Encapsulado TSOP | ||
Conteo de Pines 44 | ||
Dimensiones 18.51 x 10.26 x 1.04mm | ||
Longitud 18.51mm | ||
Ancho 10.26mm | ||
Altura 1.04mm | ||
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento 3,6 V | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +85 °C | ||
Número de Bits de Palabra 8bit | ||
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima 2,7 V | ||
Número de Palabras 512K | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
El Cypress CY14B104LA/CY14B104NA es una RAM estática (SRAM) rápida con un elemento no volátil en cada celda de memoria. La memoria está organizada como 512K bytes de 8 bits cada uno o 256K canales de 16 bits cada uno. Los elementos no volátiles integrados incorporan la tecnología QuantumTrap, lo que produce una memoria no volátil fiable. La SRAM proporciona un número infinito de ciclos de lectura y escritura, mientras que los datos no volátiles independientes residen en la celda QuantumTrap de alta fiabilidad. Las transferencias de datos desde la SRAM a los elementos no volátiles (funcionamiento DE ALMACENAMIENTO) se realizan automáticamente al apagar el dispositivo. Al encender, los datos se restauran en la SRAM (la operación DE RECUPERACIÓN) desde la memoria no volátil. Las operaciones DE ALMACENAMIENTO y RECUPERACIÓN también están disponibles bajo control de software.