NVRAM Cypress Semiconductor CY14B104LA-ZS25XI, 44 pines, TSOP, 4Mbit, 45ns, Montaje superficial, 2,7 V a 3,6 V

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
194-9072
Nº ref. fabric.:
CY14B104LA-ZS25XI
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tamaño de la Memoria

4Mbit

Organización

512K x 8 bits

Tipo de Interfaz

Paralelo

Ancho del Bus de Datos

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

45ns

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Tipo de Encapsulado

TSOP

Conteo de Pines

44

Dimensiones

18.51 x 10.26 x 1.04mm

Longitud

18.51mm

Ancho

10.26mm

Altura

1.04mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3,6 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+85 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Número de Bits de Palabra

8bit

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2,7 V

Número de Palabras

512K

COO (País de Origen):
PH
El Cypress CY14B104LA/CY14B104NA es una RAM estática (SRAM) rápida con un elemento no volátil en cada celda de memoria. La memoria está organizada como 512K bytes de 8 bits cada uno o 256K canales de 16 bits cada uno. Los elementos no volátiles integrados incorporan la tecnología QuantumTrap, lo que produce una memoria no volátil fiable. La SRAM proporciona un número infinito de ciclos de lectura y escritura, mientras que los datos no volátiles independientes residen en la celda QuantumTrap de alta fiabilidad. Las transferencias de datos desde la SRAM a los elementos no volátiles (funcionamiento DE ALMACENAMIENTO) se realizan automáticamente al apagar el dispositivo. Al encender, los datos se restauran en la SRAM (la operación DE RECUPERACIÓN) desde la memoria no volátil. Las operaciones DE ALMACENAMIENTO y RECUPERACIÓN también están disponibles bajo control de software.

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