AEC-Q100 FRAM Infineon FM28V100-TGTR, 32 pines, TSOP, 1 MB, 3.6V, 3 V
- Código RS:
- 273-5334
- Nº ref. fabric.:
- FM28V100-TGTR
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-5334
- Nº ref. fabric.:
- FM28V100-TGTR
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 1MB | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Encapsulado | TSOP | |
| Número de pines | 32 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 80°C | |
| Tensión de alimentación mínima | 3V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 1MB | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Encapsulado TSOP | ||
Número de pines 32 | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 80°C | ||
Tensión de alimentación mínima 3V | ||
La memoria FRAM de Infineon es una memoria no volátil de 128K x 8 que lee y escribe similar a una SRAM estándar. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o FRAM es no volátil, lo que significa que los detalles se conservan después de retirar la alimentación. Proporciona retención de datos durante más de 151 años al tiempo que elimina las preocupaciones de fiabilidad, las desventajas funcionales y las complejidades de diseño del sistema de la SRAM respaldada por batería. El tiempo de escritura rápido y la alta resistencia a la escritura hacen que la FRAM sea superior a otros tipos de memoria.
Conformidad con RoHS
Funcionamiento de baja tensión
Bajo consumo de potencia
Superior a los módulos SRAM con soporte de batería
Superior para la humedad y los golpes con vibración
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