Intelligent Memory AEC-Q100 SDRAM IM5116SDBBBG-6I, 512 MB, Superficie, FBGA 16 bit, 54 pines
- Código RS:
- 588-656
- Nº ref. fabric.:
- IM5116SDBBBG-6I
- Fabricante:
- Intelligent Memory
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- Código RS:
- 588-656
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- IM5116SDBBBG-6I
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- Intelligent Memory
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Intelligent Memory | |
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Tamaño de la memoria | 512MB | |
| Organización | 32M x 16 | |
| Ancho del bus de datos | 16bit | |
| Número de líneas de bus | 13bit | |
| Número de bits por palabra | 16 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 166MHz | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 6ns | |
| Número de palabras | 33554432 Words | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | FBGA | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de pines | 54 | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Serie | IM5116SDBB | |
| Longitud | 8mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 8 mm | |
| Corriente de suministro | 140mA | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Tensión de alimentación mínima | 3V | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Intelligent Memory | ||
Tipo de producto SDRAM | ||
Tamaño de la memoria 512MB | ||
Organización 32M x 16 | ||
Ancho del bus de datos 16bit | ||
Número de líneas de bus 13bit | ||
Número de bits por palabra 16 | ||
Frecuencia del reloj máxima 166MHz | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 6ns | ||
Número de palabras 33554432 Words | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado FBGA | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de pines 54 | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Serie IM5116SDBB | ||
Longitud 8mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 8 mm | ||
Corriente de suministro 140mA | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Tensión de alimentación mínima 3V | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
La memoria inteligente DRAM síncrona de cuatro bancos está organizada en 4 bancos x 8Mbit x 16. Alcanza velocidades de transferencia de datos de alta velocidad de hasta 166 MHz, empleando una arquitectura de chip que preconfigura múltiples bits y sincroniza los datos de salida con el reloj del sistema. Todos los circuitos de control, dirección, entrada de datos y salida están sincronizados con el flanco positivo de un reloj suministrado externamente para garantizar una sincronización precisa y un rendimiento fiable.
Modo de apagado
Actualización automática y autorrenovación
Mando de precarga automático y controlado
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