Alliance Memory SDRAM AS4C64M8D3L-12BIN, 512 MB, Superficie, BGA 8 bit, 96 pines
- Código RS:
- 665-383
- Nº ref. fabric.:
- AS4C64M8D3L-12BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 665-383
- Nº ref. fabric.:
- AS4C64M8D3L-12BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Tamaño de la memoria | 512MB | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 800MHZ | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Número de palabras | 64 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | BGA | |
| Número de pines | 96 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 95°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, RoHS | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 10.5mm | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.283V | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión de alimentación máxima | 1.45V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto SDRAM | ||
Tamaño de la memoria 512MB | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 800MHZ | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Número de palabras 64 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado BGA | ||
Número de pines 96 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 95°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, RoHS | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 10.5mm | ||
Tensión de alimentación mínima 1.283V | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión de alimentación máxima 1.45V | ||
- COO (País de Origen):
- TW
La DRAM DDR3L de 512 Mb de Alliance Memory dispone de una arquitectura de velocidad de datos doble para un funcionamiento de alta velocidad y está configurada internamente como una DRAM de ocho bancos. Está organizado como 8 bancos de E/S x8 de 8 Mbit y admite velocidades de transferencia de datos de velocidad doble de hasta 1.600 Mbps por contacto, lo que lo convierte en adecuado para aplicaciones de uso general. Diseñado para cumplir con todas las especificaciones DDR3L clave, el dispositivo garantiza entradas de dirección y control sincronizados a través de un par de relojes diferenciales suministrados externamente.
8 bancos internos para funcionamiento simultáneo
Arquitectura de prefijo de 8 n bits
Arquitectura interna con tuberías
Precarga y desconexión activa
Registros de modo programable y modo extendido
El tipo Burst es secuencial e Interleave
Control de impedancia de controlador de salida
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