Alliance Memory SDRAM AS4C64M8D3L-12BIN, 512 MB, Superficie, BGA 8 bit, 96 pines
- Código RS:
- 665-383
- Nº ref. fabric.:
- AS4C64M8D3L-12BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
No disponible
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- Código RS:
- 665-383
- Nº ref. fabric.:
- AS4C64M8D3L-12BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | |
| Tamaño de la memoria | 512MB | |
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Organización | 64M x 8 | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 800MHz | |
| Número de palabras | 64 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | BGA | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de pines | 96 | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 95°C | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, RoHS | |
| Anchura | 8 mm | |
| Longitud | 10.5mm | |
| Tensión de alimentación máxima | 1.45V | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.283V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Alliance Memory | ||
Tamaño de la memoria 512MB | ||
Tipo de producto SDRAM | ||
Organización 64M x 8 | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Frecuencia del reloj máxima 800MHz | ||
Número de palabras 64 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado BGA | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de pines 96 | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 95°C | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, RoHS | ||
Anchura 8 mm | ||
Longitud 10.5mm | ||
Tensión de alimentación máxima 1.45V | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión de alimentación mínima 1.283V | ||
- COO (País de Origen):
- TW
La DRAM DDR3L de 512 Mb de Alliance Memory dispone de una arquitectura de velocidad de datos doble para un funcionamiento de alta velocidad y está configurada internamente como una DRAM de ocho bancos. Está organizado como 8 bancos de E/S x8 de 8 Mbit y admite velocidades de transferencia de datos de velocidad doble de hasta 1.600 Mbps por contacto, lo que lo convierte en adecuado para aplicaciones de uso general. Diseñado para cumplir con todas las especificaciones DDR3L clave, el dispositivo garantiza entradas de dirección y control sincronizados a través de un par de relojes diferenciales suministrados externamente.
8 bancos internos para funcionamiento simultáneo
Arquitectura de prefijo de 8 n bits
Arquitectura interna con tuberías
Precarga y desconexión activa
Registros de modo programable y modo extendido
El tipo Burst es secuencial e Interleave
Control de impedancia de controlador de salida
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