Alliance Memory SDRAM AS4C512M16MD4V-053BIN, 8 GB, Superficie, TFBGA 16 bit, 200 pines

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Código RS:
665-385
Nº ref. fabric.:
AS4C512M16MD4V-053BIN
Fabricante:
Alliance Memory
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Marca

Alliance Memory

Tamaño de la memoria

8GB

Tipo de producto

SDRAM

Organización

512M x 16

Ancho del bus de datos

16bit

Número de líneas de bus

6bit

Número de bits por palabra

32

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

TFBGA

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Número de pines

200

Temperatura de funcionamiento máxima

95°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1mm

Longitud

15mm

Tensión de alimentación mínima

0.6V

Estándar de automoción

No

Tensión de alimentación máxima

1.8V

COO (País de Origen):
KR
La DRAM LPDDR4X de 8 Gb (x16) de Alliance Memory en un encapsulado FBGA de 200 bolas dispone de una arquitectura de velocidad de datos doble que permite dos transferencias de datos por ciclo de reloj. Los comandos y las direcciones se bloquean en los bordes positivos de CK, mientras que las señales de máscara de datos y de datos se refieren a ambos bordes de DQS. Incluye 8 bancos internos por canal y admite calibración CA, VREF interno con entrenamiento VREF y entrenamiento de lectura/escritura basado en FIFO. Además, ofrece funcionalidad MPC (Multi-Purpose Command) para mejorar el control y la flexibilidad.

Opción de precarga automática para cada acceso de estallido

Resistencia de accionamiento configurable

Modos de actualización y actualización automática

Nivelación de escritura

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