Alliance Memory SDRAM AS4C512M16MD4V-053BIN, 8 GB, Superficie, TFBGA 16 bit, 200 pines

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Código RS:
665-385
Nº ref. fabric.:
AS4C512M16MD4V-053BIN
Fabricante:
Alliance Memory
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Marca

Alliance Memory

Tipo de producto

SDRAM

Tamaño de la memoria

8GB

Organización

512M x 16

Ancho del bus de datos

16bit

Número de líneas de bus

6bit

Número de bits por palabra

32

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

TFBGA

Número de pines

200

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

95°C

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

15mm

Tensión de alimentación máxima

1.8V

Tensión de alimentación mínima

0.6V

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
KR
La DRAM LPDDR4X de 8 Gb (x16) de Alliance Memory en un encapsulado FBGA de 200 bolas dispone de una arquitectura de velocidad de datos doble que permite dos transferencias de datos por ciclo de reloj. Los comandos y las direcciones se bloquean en los bordes positivos de CK, mientras que las señales de máscara de datos y de datos se refieren a ambos bordes de DQS. Incluye 8 bancos internos por canal y admite calibración CA, VREF interno con entrenamiento VREF y entrenamiento de lectura/escritura basado en FIFO. Además, ofrece funcionalidad MPC (Multi-Purpose Command) para mejorar el control y la flexibilidad.

Opción de precarga automática para cada acceso de estallido

Resistencia de accionamiento configurable

Modos de actualización y actualización automática

Nivelación de escritura

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