Alliance Memory SDRAM AS4C32M16D1A-5TCN, 64 MB, Montaje superficial, TSOP II 16 bit, 66 pines
- Código RS:
- 842-634
- Nº ref. fabric.:
- AS4C32M16D1A-5TCN
- Fabricante:
- Alliance Memory
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- Código RS:
- 842-634
- Nº ref. fabric.:
- AS4C32M16D1A-5TCN
- Fabricante:
- Alliance Memory
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | |
| Tamaño de la memoria | 64MB | |
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Organización | 32M x 16 bits | |
| Ancho del bus de datos | 16bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 200MHZ | |
| Número de bits por palabra | 16 | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 0.7ns | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Encapsulado | TSOP II | |
| Número de pines | 66 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 0°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 70°C | |
| Serie | AS4C32M16D1A | |
| Longitud | 22.22mm | |
| Tensión de alimentación máxima | 2.7V | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.3V | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Alliance Memory | ||
Tamaño de la memoria 64MB | ||
Tipo de producto SDRAM | ||
Organización 32M x 16 bits | ||
Ancho del bus de datos 16bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 200MHZ | ||
Número de bits por palabra 16 | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 0.7ns | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Encapsulado TSOP II | ||
Número de pines 66 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 0°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 70°C | ||
Serie AS4C32M16D1A | ||
Longitud 22.22mm | ||
Tensión de alimentación máxima 2.7V | ||
Tensión de alimentación mínima 2.3V | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- TW
La DRAM síncrona DDR de Alliance Memory proporciona un acceso rápido a los datos y un funcionamiento eficiente de la memoria en diversos sistemas electrónicos.
La velocidad de reloj rápida de 200 MHz mejora la velocidad de memoria
Admite ambas entradas de reloj diferencial para una transferencia de datos estable
La arquitectura de memoria incluye cuatro bancos internos para aumentar la eficiencia
Ofrece opciones de latencia CAS programables para optimizar el tiempo de lectura
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