Alliance Memory SDRAM AS4C32M16D1-5BIN, 64 MB, Montaje superficial, TFBGA 16 bit, 60 pines
- Código RS:
- 842-632
- Nº ref. fabric.:
- AS4C32M16D1-5BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
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- Código RS:
- 842-632
- Nº ref. fabric.:
- AS4C32M16D1-5BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | |
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Tamaño de la memoria | 64MB | |
| Organización | 32M x 16 bits | |
| Ancho del bus de datos | 16bit | |
| Número de bits por palabra | 16 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 200MHZ | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 0.7ns | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Encapsulado | TFBGA | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de pines | 60 | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Serie | AS4C32M16D1 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión de alimentación máxima | 2.7V | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.3V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Alliance Memory | ||
Tipo de producto SDRAM | ||
Tamaño de la memoria 64MB | ||
Organización 32M x 16 bits | ||
Ancho del bus de datos 16bit | ||
Número de bits por palabra 16 | ||
Frecuencia del reloj máxima 200MHZ | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 0.7ns | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Encapsulado TFBGA | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de pines 60 | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Serie AS4C32M16D1 | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión de alimentación máxima 2.7V | ||
Tensión de alimentación mínima 2.3V | ||
- COO (País de Origen):
- TW
El módulo de memoria CMOS de alta velocidad de Alliance Memory sirve como DRAM síncrona DDR de 32 M x 16 bits, proporcionando un almacenamiento de datos esencial para sistemas informáticos avanzados y aplicaciones gráficas.
La velocidad de reloj rápida de 200 MHz admite un alto rendimiento
512 Mbits de memoria para mejorar las capacidades de manejo de datos
El funcionamiento completamente síncrono garantiza la integridad de los datos durante el procesamiento
Las longitudes de ráfaga programables de 2, 4 u 8 aumentan la flexibilidad
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