Alliance Memory SDRAM AS4C16M32MD1B-5BIN, 64 MB, Montaje superficial, FPBGA 32 bit, 90 pines
- Código RS:
- 842-628
- Nº ref. fabric.:
- AS4C16M32MD1B-5BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 9,40 € |
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- Código RS:
- 842-628
- Nº ref. fabric.:
- AS4C16M32MD1B-5BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | |
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Tamaño de la memoria | 64MB | |
| Organización | 16M x 32 bits | |
| Ancho del bus de datos | 32bit | |
| Número de bits por palabra | 32 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 200MHZ | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 5ns | |
| Número de palabras | 4 word | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Encapsulado | FPBGA | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de pines | 90 | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Altura | 1mm | |
| Serie | AS4C16M32MD1B | |
| Longitud | 8mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.7V | |
| Tensión de alimentación máxima | 1.95V | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Alliance Memory | ||
Tipo de producto SDRAM | ||
Tamaño de la memoria 64MB | ||
Organización 16M x 32 bits | ||
Ancho del bus de datos 32bit | ||
Número de bits por palabra 32 | ||
Frecuencia del reloj máxima 200MHZ | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 5ns | ||
Número de palabras 4 word | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Encapsulado FPBGA | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de pines 90 | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Altura 1mm | ||
Serie AS4C16M32MD1B | ||
Longitud 8mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Tensión de alimentación mínima 1.7V | ||
Tensión de alimentación máxima 1.95V | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo DDR SDRAM de alto rendimiento de Alliance Memory está diseñado para el procesamiento dinámico de datos en aplicaciones móviles. Este módulo mejora la eficiencia de la memoria al tiempo que garantiza un bajo consumo de potencia durante el funcionamiento, lo que lo convierte en ideal para entornos exigentes.
Funcionamiento de baja potencia con un rango de tensión de 1,70-1,95 V para eficiencia energética
Admite arquitectura de doble velocidad de datos, lo que permite dos transferencias de datos por ciclo de reloj
El TCSR automático y las capacidades de autorefrescamiento compensado por temperatura garantizan un rendimiento estable
Cuatro bancos internos facilitan operaciones simultáneas para mejorar la velocidad
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