Alliance Memory SDRAM AS4C2M32S-6BIN, 8 MB, Montaje superficial, TFBGA 32 bit, 90 pines
- Código RS:
- 842-640
- Nº ref. fabric.:
- AS4C2M32S-6BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
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- Código RS:
- 842-640
- Nº ref. fabric.:
- AS4C2M32S-6BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | |
| Tamaño de la memoria | 8MB | |
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Ancho del bus de datos | 32bit | |
| Número de bits por palabra | 32 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 166MHZ | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 5.4ns | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Encapsulado | TFBGA | |
| Número de pines | 90 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Serie | AS4C2M32S | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Tensión de alimentación mínima | 3V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Alliance Memory | ||
Tamaño de la memoria 8MB | ||
Tipo de producto SDRAM | ||
Ancho del bus de datos 32bit | ||
Número de bits por palabra 32 | ||
Frecuencia del reloj máxima 166MHZ | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 5.4ns | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Encapsulado TFBGA | ||
Número de pines 90 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Serie AS4C2M32S | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Tensión de alimentación mínima 3V | ||
- COO (País de Origen):
- TW
La DRAM síncrona CMOS de alta velocidad de Alliance Memory proporciona soluciones de memoria avanzadas con una capacidad de 64 Mb, diseñadas para un rendimiento eficiente en aplicaciones informáticas que requieren un manejo rápido de datos.
El tiempo de acceso rápido de 5,4 ns mejora el rendimiento general del sistema
Funciona a una velocidad de reloj de 166 MHz para mejorar el rendimiento de datos
El funcionamiento completamente síncrono garantiza la integridad de los datos durante las operaciones de alta velocidad
Admite longitudes de burst de lectura y escritura programables para una gestión de datos flexible
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