Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Winbond
	Tamaño de la memoria	512MB
	Tipo de producto	SDRAM LPDDR móvil
	Organización	64M x 8 Bit
	Ancho del bus de datos	32bit
	Número de líneas de bus	15bit
	Frecuencia del reloj máxima	200MHz
	Número de bits por palabra	8
	Tiempo de acceso aleatorio máximo	5ns
	Número de palabras	64M
	Tipo de montaje	Superficie
	Encapsulado	VFBGA
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Número de pines	90
	Temperatura de funcionamiento máxima	85°C
	Serie	W949D2DB
	Anchura	8.1 mm
	Longitud	13.1mm
	Altura	0.65mm
	Certificaciones y estándares	LVCMOS Compatible
	Tensión de alimentación máxima	1.95V
	Tensión de alimentación mínima	1.7V
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Winbond
	Tamaño de la memoria 512MB
	Tipo de producto SDRAM LPDDR móvil
	Organización 64M x 8 Bit
	Ancho del bus de datos 32bit
	Número de líneas de bus 15bit
	Frecuencia del reloj máxima 200MHz
	Número de bits por palabra 8
	Tiempo de acceso aleatorio máximo 5ns
	Número de palabras 64M
	Tipo de montaje Superficie
	Encapsulado VFBGA
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Número de pines 90
	Temperatura de funcionamiento máxima 85°C
	Serie W949D2DB
	Anchura 8.1 mm
	Longitud 13.1mm
	Altura 0.65mm
	Certificaciones y estándares LVCMOS Compatible
	Tensión de alimentación máxima 1.95V
	Tensión de alimentación mínima 1.7V
	Estándar de automoción No

VDD = 1.7∼1.95V

VDDQ = 1.7∼1.95V

Data width: x16 / x32

Clock rate: 200MHz (-5),166MHz (-6)

Standard Self Refresh Mode

Partial Array Self-Refresh(PASR)

Auto Temperature Compensated Self Refresh (ATCSR)

Power Down Mode

Deep Power Down Mode (DPD Mode)

Programmable output buffer driver strength

Four internal banks for concurrent operation

Data mask (DM) for write data

Clock Stop capability during idle periods

Auto Pre-charge option for each burst access

Double data rate for data output

Differential clock inputs (CK and CK)

Bidirectional, data strobe (DQS)

CAS Latency: 2 and 3

Burst Length: 2, 4, 8 and 16

Burst Type: Sequential or Interleave

8K refresh cycles/64 mS

Interface: LVCMOS compatible

Support package:

60 balls VFBGA (x16)

90 balls VFBGA (x32)

Operating Temperature Range

Extended: -25°C ≤ TCASE ≤ 85°C

Industrial: -40°C ≤ TCASE ≤ 85°C

This is a 512Mb Low Power DDR SDRAM organized as 2M words x 4 banks x 32bits.

Burst Type: Sequential or Interleave

Standard Self Refresh Mode

PASR, ATCSR, Power Down Mode、DPD

Programmable output buffer driver strength

Four internal banks for concurrent operation

Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted or received with data, to be used in capturing data at the receiver

Winbond SDRAM LPDDR móvil W949D2DBJX5I, 512 MB, Superficie, VFBGA 32 bit, 90 pines

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