Winbond SDRAM LPDDR móvil W949D6DBHX5I, 512 MB, Superficie, VFBGA 16 bit, 60 pines
- Código RS:
- 188-2676
- Nº ref. fabric.:
- W949D6DBHX5I
- Fabricante:
- Winbond
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 3,302 € | 16,51 € |
| 10 - 20 | 3,214 € | 16,07 € |
| 25 - 45 | 3,13 € | 15,65 € |
| 50 - 95 | 3,05 € | 15,25 € |
| 100 + | 2,974 € | 14,87 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 188-2676
- Nº ref. fabric.:
- W949D6DBHX5I
- Fabricante:
- Winbond
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tamaño de la memoria | 512MB | |
| Tipo de producto | SDRAM LPDDR móvil | |
| Ancho del bus de datos | 16bit | |
| Número de líneas de bus | 15bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 200MHZ | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 5ns | |
| Número de palabras | 64M | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | VFBGA | |
| Número de pines | 60 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Longitud | 9.1mm | |
| Altura | 0.65mm | |
| Serie | W949D6DB | |
| Certificaciones y estándares | LVCMOS Compatible | |
| Tensión de alimentación máxima | 1.95V | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.7V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tamaño de la memoria 512MB | ||
Tipo de producto SDRAM LPDDR móvil | ||
Ancho del bus de datos 16bit | ||
Número de líneas de bus 15bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 200MHZ | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 5ns | ||
Número de palabras 64M | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado VFBGA | ||
Número de pines 60 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Longitud 9.1mm | ||
Altura 0.65mm | ||
Serie W949D6DB | ||
Certificaciones y estándares LVCMOS Compatible | ||
Tensión de alimentación máxima 1.95V | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión de alimentación mínima 1.7V | ||
This is a 512Mb Low Power DDR SDRAM organized as 4M words x 4 banks x 16bits.
Burst Type: Sequential or Interleave
Standard Self Refresh Mode
PASR, ATCSR, Power Down Mode、DPD
Programmable output buffer driver strength
Four internal banks for concurrent operation
Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted or received with data, to be used in capturing data at the receiver
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