Memoria DDR SDRAM S27KS0643GABHV020, 64Mbit, 200MHZ, Montaje superficial, FBGA, 24 pines DDR

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Código RS:
201-7969
Nº ref. fabric.:
S27KS0643GABHV020
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tamaño de la Memoria

64Mbit

Organización

8M x 8

Clase SDRAM

DDR

Transmisión de Datos

200MHZ

Ancho del Bus de Datos

8bit

Ancho del Bus de Direcciones

16bit

Número de Bits de Palabra

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

35ns

Número de Palabras

8M

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Tipo de Encapsulado

FBGA

Conteo de Pines

24

Dimensiones

8 x 6 x 1mm

Altura

1mm

Longitud

8mm

Ancho

6mm

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

1,7 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

2 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+105 °C

Cypress Semiconductor S27KL0642/S27KS0642 es una HyperRAM de 64 Mb que es una DRAM de actualización automática CMOS de alta velocidad con interfaz Hyper Bus. La matriz de la DRAM utiliza celdas dinámicas que requieren una actualización periódica. La lógica de control de actualización que se encuentra dentro del dispositivo, administra las operaciones de actualización en la matriz DRAM cuando el Master (host) de interfaz de Hyper Bus (Hyper Bus) no lee ni escribe activamente la memoria. La matriz DRAM aparece en el host como si la memoria utilizara celdas estáticas que conserven los datos sin actualizar, ya que el host no es necesario para administrar ninguna operación de actualización. Por lo tanto, esta memoria se llama con mayor precisión o se puede describir como RAM pseudo estática (PSRAM).

Rango de temperaturas: -40 °C a +85 °C.
Ancho de banda de interfaz (Mbps): 400Mbps
Compatible con RoHS

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