SDRAM AS4C16M16SA-6TINTR, 256Mbit, 166MHZ, Montaje superficial, TSOP, 54 pines DDR

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
230-8418
Nº ref. fabric.:
AS4C16M16SA-6TINTR
Fabricante:
Alliance Memory
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Marca

Alliance Memory

Tamaño de la Memoria

256Mbit

Organización

16M x 16

Clase SDRAM

DDR

Transmisión de Datos

166MHZ

Ancho del Bus de Datos

16bit

Ancho del Bus de Direcciones

13bit

Número de Bits de Palabra

16bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

5ns

Número de Palabras

16 M

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Tipo de Encapsulado

TSOP

Conteo de Pines

54

Dimensiones

22.35 x 10.29 x 1.2mm

Altura

1.2mm

Longitud

22.35mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+85 °C

Ancho

10.29mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

3 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3,6 V

La SDRAM Alliance Memory 256MB es una DRAM síncrona CMOS de alta velocidad que contiene 256 Mbits. Está configurado internamente como 4 bancos de 16 canal x 4M DRAM con una interfaz síncrona (todas las señales se registran en el borde positivo de la señal de reloj, CLK). Los accesos de lectura y escritura a la SDRAM están orientados a ráfagas

los accesos comienzan en una ubicación seleccionada y continúan durante un número programado de ubicaciones en una secuencia programada. Los accesos comienzan con el registro de un comando BankActivate, seguido por un comando Read o Write.

Tiempo de acceso rápido desde el reloj: 5/5,4 ns
Velocidad de reloj rápida: 166/143 MHz
Funcionamiento completamente síncrono
Arquitectura interna de canalización
4m canales x 16 bits x 4 bancos

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